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 在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華，將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體。

目前國際主流大規(guī)模應(yīng)用的晶體生長方法，具有技術(shù)方案成熟、生長過程簡單、設(shè)備成本低等特點。技術(shù)難點主要為大尺寸襯底制備、缺陷水平控制及良率提升。

加熱模式

SiC PVT長晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式。

測溫方式

溫度一般需要控制2400℃上下，由于生產(chǎn)過程不可見，為保證晶體生長品質(zhì)需要精確調(diào)控生長溫度，有上測溫、下測溫、或上下測溫等多種形式，高溫計通過石英窗口、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度。

SiC長晶工藝溫度監(jiān)測方案

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計：

推薦一：

IMPAC  ISR 6   ，  1000~3000℃  ，雙色，高溫，小光斑

推薦二：

IMPAC  IGAR 6  Smart  ，100~2550℃ ，雙色，寬量程，低高溫兼顧

推薦三：

IMPAC  IGA 6   ，250~2550℃   ，單色，寬量程，低高溫兼顧