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 SiC外延需要嚴(yán)格控制厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長(zhǎng)途率,方法包括化學(xué)氣相沉積CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等,其中CVD兼?zhèn)涑杀具m中+外延質(zhì)量好+生長(zhǎng)速度快的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用最廣。

該工藝生長(zhǎng)溫度需要達(dá)到最高 1700 ℃，還涉及到多種復(fù)雜氣氛環(huán)境，這對(duì)設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和控制帶來(lái)很大的挑戰(zhàn)。

SiC CVD外延設(shè)備一般采用水平熱壁式反應(yīng)腔、水平溫壁式反應(yīng)腔和垂直熱壁式反應(yīng)腔 3 種設(shè)備結(jié)構(gòu)原理形式。

在水平熱壁單片式外延爐中高溫計(jì)通過(guò)石英窗口以及石墨熱壁開孔，可以測(cè)試石墨熱壁中段的溫度。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備情況，高溫計(jì)可選用激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)形式。